제조업체 제품 번호:
2SK3811-ZP-E1-AY
Product Overview
제조사:
Renesas Electronics Corporation
부품 번호:
2SK3811-ZP-E1-AY-DG
설명:
MOSFET N-CH 40V 110A TO263
상세 설명:
N-Channel 40 V 110A (Tc) 1.5W (Ta), 213W (Tc) Surface Mount TO-263
재고:
12853137
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제출
2SK3811-ZP-E1-AY 기술 사양
카테고리
FETs, MOSFETs, 단일 FET, MOSFET
제조사
Renesas Electronics Corporation
포장
-
시리즈
-
제품 상태
Obsolete
FET 유형
N-Channel
기술
MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(Vdss)
40 V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
110A (Tc)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐)
10V
Rds 켜기(최대) @ Id, Vgs
1.8mOhm @ 55A, 10V
Vgs(일) (최대) @ Id
-
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
260 nC @ 10 V
Vgs(최대)
±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
17700 pF @ 10 V
FET 기능
-
전력 손실(최대)
1.5W (Ta), 213W (Tc)
작동 온도
150°C (TJ)
실장 형
Surface Mount
공급업체 장치 패키지
TO-263
패키지 / 케이스
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
데이터 시트 및 문서
데이터시트
추가 정보
다른 이름들
2SK3811-ZP-E1-AY-DG
2SK3811-ZP-E1-AYTR
2SK3811-ZP-E1-AYDKR
2SK3811ZPE1AY
2SK3811-ZP-E1-AYCT
표준 패키지
800
환경 및 수출 분류
RoHS 준수 여부
ROHS3 Compliant
수분 민감도 수준(MSL)
1 (Unlimited)
REACH 상태
REACH Affected
증권 시세 표시기
EAR99
(주)헤수스
8541.29.0095
대체 모델
부품 번호
SUM40010EL-GE3
제조사
Vishay Siliconix
구매 가능 수량
4883
부품 번호
SUM40010EL-GE3-DG
단가
1.21
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