제조업체 제품 번호:

H5N2007LSTL-E

Product Overview

제조사:

Renesas Electronics Corporation

부품 번호:

H5N2007LSTL-E-DG

설명:

MOSFET N-CH HS SW TO-263

상세 설명:

25A (Tj)

재고:

온라인 RFQ

12860766

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제출

H5N2007LSTL-E 기술 사양

카테고리

FETs, MOSFETs, 단일 FET, MOSFET

제조사

Renesas Electronics Corporation

포장

-

시리즈

-

제품 상태

Obsolete

FET 유형

-

기술

-

전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C

25A (Tj)

구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐)

-

Rds 켜기(최대) @ Id, Vgs

-

Vgs(일) (최대) @ Id

-

Vgs(최대)

-

FET 기능

-

전력 손실(최대)

-

작동 온도

-

실장 형

-

공급업체 장치 패키지

-

패키지 / 케이스

-

추가 정보

표준 패키지

1,000

환경 및 수출 분류

수분 민감도 수준(MSL)

1 (Unlimited)

증권 시세 표시기

EAR99

(주)헤수스

8541.29.0095

DIGI 인증

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

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