제조업체 제품 번호:
H5N2305P-E
Product Overview
제조사:
Renesas Electronics Corporation
부품 번호:
H5N2305P-E-DG
설명:
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR
상세 설명:
N-Channel 230 V 35A (Ta) 60W (Tc) Through Hole TO-3PFM
재고:
310 새로운 원본 재고 있음
12955007
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제출
H5N2305P-E 기술 사양
카테고리
FETs, MOSFETs, 단일 FET, MOSFET
제조사
Renesas Electronics Corporation
포장
Bulk
시리즈
-
제품 상태
Active
FET 유형
N-Channel
기술
MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(Vdss)
230 V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
35A (Ta)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐)
10V
Rds 켜기(최대) @ Id, Vgs
700mOhm @ 6A, 10V
Vgs(일) (최대) @ Id
4V @ 1mA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
105 nC @ 10 V
Vgs(최대)
±30V
FET 기능
-
전력 손실(최대)
60W (Tc)
작동 온도
150°C
급
-
자격
-
실장 형
Through Hole
공급업체 장치 패키지
TO-3PFM
패키지 / 케이스
TO-3PFM, SC-93-3
데이터 시트 및 문서
데이터시트
추가 정보
다른 이름들
RENRNSH5N2305P-E
2156-H5N2305P-E
표준 패키지
42
환경 및 수출 분류
RoHS 준수 여부
ROHS3 Compliant
수분 민감도 수준(MSL)
1 (Unlimited)
REACH 상태
REACH Unaffected
증권 시세 표시기
EAR99
(주)헤수스
8541.29.0095
DIGI 인증
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