제조업체 제품 번호:
HAT2173HWS-E
Product Overview
제조사:
Renesas Electronics Corporation
부품 번호:
HAT2173HWS-E-DG
설명:
MOSFET N-CH 100V 25A 5LFPAK
상세 설명:
N-Channel 100 V 25A (Ta) 30W (Tc) Surface Mount LFPAK
재고:
12855534
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제출
HAT2173HWS-E 기술 사양
카테고리
FETs, MOSFETs, 단일 FET, MOSFET
제조사
Renesas Electronics Corporation
포장
-
시리즈
-
제품 상태
Obsolete
FET 유형
N-Channel
기술
MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(Vdss)
100 V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
25A (Ta)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐)
8V, 10V
Rds 켜기(최대) @ Id, Vgs
15mOhm @ 12.5A, 10V
Vgs(일) (최대) @ Id
6V @ 20mA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
61 nC @ 10 V
Vgs(최대)
±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
4350 pF @ 10 V
FET 기능
-
전력 손실(최대)
30W (Tc)
작동 온도
150°C
실장 형
Surface Mount
공급업체 장치 패키지
LFPAK
패키지 / 케이스
SC-100, SOT-669
추가 정보
표준 패키지
2,500
환경 및 수출 분류
수분 민감도 수준(MSL)
1 (Unlimited)
증권 시세 표시기
EAR99
(주)헤수스
8541.29.0095
DIGI 인증
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