NP80N06MLG-S18-AY
제조업체 제품 번호:

NP80N06MLG-S18-AY

Product Overview

제조사:

Renesas

부품 번호:

NP80N06MLG-S18-AY-DG

설명:

NP80N06MLG-S18-AY - SWITCHINGN-C
상세 설명:
N-Channel 60 V 80A (Tc) 1.8W (Ta), 115W (Tc) Through Hole MP-25K

재고:

22200 새로운 원본 재고 있음
12977055
견적 요청
수량
최소 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) 필수
24시간 이내에 답변드리겠습니다.
제출

NP80N06MLG-S18-AY 기술 사양

카테고리
FETs, MOSFETs, 단일 FET, MOSFET
제조사
Renesas Electronics Corporation
포장
Bulk
시리즈
-
제품 상태
Obsolete
FET 유형
N-Channel
기술
MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(Vdss)
60 V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
80A (Tc)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐)
4.5V, 10V
Rds 켜기(최대) @ Id, Vgs
8.6mOhm @ 40A, 10V
Vgs(일) (최대) @ Id
2.5V @ 250µA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
128 nC @ 10 V
Vgs(최대)
±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
6900 pF @ 25 V
FET 기능
-
전력 손실(최대)
1.8W (Ta), 115W (Tc)
작동 온도
175°C
실장 형
Through Hole
공급업체 장치 패키지
MP-25K
패키지 / 케이스
TO-220-3

데이터 시트 및 문서

데이터시트

추가 정보

다른 이름들
2156-NP80N06MLG-S18-AY
표준 패키지
151

환경 및 수출 분류

RoHS 준수 여부
RoHS non-compliant
REACH 상태
REACH Unaffected
증권 시세 표시기
EAR99
(주)헤수스
8541.29.0095

대체 모델

부품 번호
AOT2610L
제조사
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
구매 가능 수량
0
부품 번호
AOT2610L-DG
단가
0.59
대체 유형
Similar
부품 번호
IRF1010EZPBF
제조사
Infineon Technologies
구매 가능 수량
9758
부품 번호
IRF1010EZPBF-DG
단가
0.57
대체 유형
Similar
부품 번호
CSD18534KCS
제조사
Texas Instruments
구매 가능 수량
351
부품 번호
CSD18534KCS-DG
단가
0.51
대체 유형
Similar
부품 번호
IPP052N06L3GXKSA1
제조사
Infineon Technologies
구매 가능 수량
0
부품 번호
IPP052N06L3GXKSA1-DG
단가
0.65
대체 유형
Similar
부품 번호
TK40E06N1,S1X
제조사
Toshiba Semiconductor and Storage
구매 가능 수량
38
부품 번호
TK40E06N1,S1X-DG
단가
0.35
대체 유형
Similar
DIGI 인증
관련 상품
renesas-electronics-america

HAT2205C-EL-E

HAT2205C - N-CHANNEL POWER MOSFE

renesas-electronics-america

UPA2702TP-E2-AZ

UPA2702 - N CHANNEL MOSFET

renesas-electronics-america

NP80N04KHE-E1-AZ

NP80N04KHE-E1-AZ - SWITCHINGN-CH

renesas-electronics-america

RJK0601DPN-E0#T2

RJK0601DPN - N-CHANNEL MOSFET 60