제조업체 제품 번호:
NP82N055PUG-E1-AY
Product Overview
제조사:
Renesas Electronics Corporation
부품 번호:
NP82N055PUG-E1-AY-DG
설명:
MOSFET N-CH 55V 82A TO263
상세 설명:
N-Channel 55 V 82A (Tc) 1.8W (Ta), 143W (Tc) Surface Mount TO-263
재고:
12855314
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제출
NP82N055PUG-E1-AY 기술 사양
카테고리
FETs, MOSFETs, 단일 FET, MOSFET
제조사
Renesas Electronics Corporation
포장
-
시리즈
-
제품 상태
Active
FET 유형
N-Channel
기술
MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(Vdss)
55 V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
82A (Tc)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐)
10V
Rds 켜기(최대) @ Id, Vgs
5.2mOhm @ 41A, 10V
Vgs(일) (최대) @ Id
4V @ 250µA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
160 nC @ 10 V
Vgs(최대)
±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
9600 pF @ 25 V
FET 기능
-
전력 손실(최대)
1.8W (Ta), 143W (Tc)
작동 온도
175°C (TJ)
실장 형
Surface Mount
공급업체 장치 패키지
TO-263
패키지 / 케이스
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
기본 제품 번호
NP82N055
데이터 시트 및 문서
데이터시트
추가 정보
다른 이름들
NP82N055PUGE1AY
NP82N055PUG-E1-AYTR
NP82N055PUG-E1-AYDKR
NP82N055PUG-E1-AY-DG
NP82N055PUG-E1-AYCT
표준 패키지
800
환경 및 수출 분류
RoHS 준수 여부
ROHS3 Compliant
수분 민감도 수준(MSL)
1 (Unlimited)
REACH 상태
REACH Unaffected
증권 시세 표시기
EAR99
(주)헤수스
8541.29.0095
대체 모델
부품 번호
IRFS3306TRLPBF
제조사
Infineon Technologies
구매 가능 수량
86
부품 번호
IRFS3306TRLPBF-DG
단가
1.10
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