제조업체 제품 번호:
NP82N10PUF-E1-AY
Product Overview
제조사:
Renesas
부품 번호:
NP82N10PUF-E1-AY-DG
설명:
NP82N10PUF-E1-AY - MOS FIELD EFF
상세 설명:
N-Channel 100 V 82A (Tc) 1.8W (Ta), 150W (Tc) Surface Mount TO-263-3
재고:
6400 새로운 원본 재고 있음
12976878
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제출
NP82N10PUF-E1-AY 기술 사양
카테고리
FETs, MOSFETs, 단일 FET, MOSFET
제조사
Renesas Electronics Corporation
포장
Bulk
시리즈
-
제품 상태
Obsolete
FET 유형
N-Channel
기술
MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(Vdss)
100 V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
82A (Tc)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐)
5.8V, 10V
Rds 켜기(최대) @ Id, Vgs
15mOhm @ 41A, 10V
Vgs(일) (최대) @ Id
3.3V @ 250µA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
96 nC @ 10 V
Vgs(최대)
±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
4350 pF @ 25 V
FET 기능
-
전력 손실(최대)
1.8W (Ta), 150W (Tc)
작동 온도
175°C
실장 형
Surface Mount
공급업체 장치 패키지
TO-263-3
패키지 / 케이스
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
추가 정보
다른 이름들
2156-NP82N10PUF-E1-AY
표준 패키지
121
환경 및 수출 분류
RoHS 준수 여부
RoHS non-compliant
REACH 상태
REACH Unaffected
증권 시세 표시기
EAR99
(주)헤수스
8541.29.0095
대체 모델
부품 번호
IRF3710STRLPBF
제조사
Infineon Technologies
구매 가능 수량
15343
부품 번호
IRF3710STRLPBF-DG
단가
0.73
대체 유형
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