제조업체 제품 번호:
NP88N04NUG-S18-AY
Product Overview
제조사:
Renesas
부품 번호:
NP88N04NUG-S18-AY-DG
설명:
NP88N04NUG-S18-AY - MOS FIELD EF
상세 설명:
N-Channel 40 V 88A (Tc) 1.8W (Ta), 200W (Tc) Through Hole TO-262
재고:
1450 새로운 원본 재고 있음
12987356
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제출
NP88N04NUG-S18-AY 기술 사양
카테고리
FETs, MOSFETs, 단일 FET, MOSFET
제조사
Renesas Electronics Corporation
포장
Bulk
시리즈
-
제품 상태
Obsolete
FET 유형
N-Channel
기술
MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(Vdss)
40 V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
88A (Tc)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐)
10V
Rds 켜기(최대) @ Id, Vgs
3.4mOhm @ 44A, 10V
Vgs(일) (최대) @ Id
4V @ 250µA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
250 nC @ 10 V
Vgs(최대)
±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
15000 pF @ 25 V
FET 기능
-
전력 손실(최대)
1.8W (Ta), 200W (Tc)
작동 온도
175°C
실장 형
Through Hole
공급업체 장치 패키지
TO-262
패키지 / 케이스
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
데이터 시트 및 문서
데이터시트
추가 정보
다른 이름들
2156-NP88N04NUG-S18-AY
표준 패키지
112
환경 및 수출 분류
RoHS 준수 여부
RoHS non-compliant
REACH 상태
REACH Unaffected
증권 시세 표시기
EAR99
(주)헤수스
8541.21.0095
대체 모델
부품 번호
IPI90N04S402AKSA1
제조사
Infineon Technologies
구매 가능 수량
453
부품 번호
IPI90N04S402AKSA1-DG
단가
1.25
대체 유형
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