제조업체 제품 번호:
UPA2003C-A
Product Overview
제조사:
Renesas Electronics Corporation
부품 번호:
UPA2003C-A-DG
설명:
NPN SILICON EPITAXIAL DARLINGTON
상세 설명:
Bipolar (BJT) Transistor Array 7 NPN Darlington 60V 500mA 900mW Through Hole 16-DIP
재고:
1875 새로운 원본 재고 있음
12974873
견적 요청
수량
최소 1
최소 1
(*) 필수
24시간 이내에 답변드리겠습니다.
24시간 이내에 답변드리겠습니다.
제출
UPA2003C-A 기술 사양
카테고리
바이폴라 (BJT), 바이폴라 트랜지스터 배열
제조사
Renesas Electronics Corporation
포장
Bulk
시리즈
-
제품 상태
Active
트랜지스터 유형
7 NPN Darlington
전류 - 컬렉터(Ic)(최대)
500mA
전압 - 컬렉터 이미터 고장(최대)
60V
Vce 포화도(최대) @ Ib, Ic
1.6V @ 500µA, 350mA
전류 - 컬렉터 컷오프(최대)
-
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce
1000 @ 350mA, 2V
전력 - 최대
900mW
빈도 - 전환
-
작동 온도
-30°C ~ 75°C
실장 형
Through Hole
패키지 / 케이스
16-DIP (0.300", 7.62mm)
공급업체 장치 패키지
16-DIP
데이터 시트 및 문서
데이터시트
추가 정보
다른 이름들
RENRNSUPA2003C-A
2156-UPA2003C-A
표준 패키지
299
환경 및 수출 분류
RoHS 준수 여부
Not applicable
수분 민감도 수준(MSL)
1 (Unlimited)
REACH 상태
Vendor Undefined
증권 시세 표시기
EAR99
(주)헤수스
0000.00.0000
DIGI 인증
관련 상품
CTLM3474-M832D TR
TRANSISTOR
CTLM3410-M832D BK
TRANSISTOR
CYTA4494D BK
TRANSISTOR