제조업체 제품 번호:
2SD2096T114E
Product Overview
제조사:
Rohm Semiconductor
부품 번호:
2SD2096T114E-DG
설명:
TRANS NPN 60V 3A HRT
상세 설명:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 60 V 3 A 8MHz 1.8 W Through Hole HRT
재고:
13524737
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제출
2SD2096T114E 기술 사양
카테고리
바이폴라 (BJT), 단일 양극 트랜지스터
제조사
ROHM Semiconductor
포장
-
시리즈
-
제품 상태
Obsolete
트랜지스터 유형
NPN
전류 - 컬렉터(Ic)(최대)
3 A
전압 - 컬렉터 이미터 고장(최대)
60 V
Vce 포화도(최대) @ Ib, Ic
1V @ 200mA, 2A
전류 - 컬렉터 컷오프(최대)
10µA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce
100 @ 500mA, 5V
전력 - 최대
1.8 W
빈도 - 전환
8MHz
작동 온도
150°C (TJ)
실장 형
Through Hole
패키지 / 케이스
HRT
공급업체 장치 패키지
HRT
기본 제품 번호
2SD2096
추가 정보
다른 이름들
2SD2096T114ECT
2SD2096T114EDKR
2SD2096T114EDKRINACTIVE
2SD2096T114ETR
2SD2096T114EDKR-ND
표준 패키지
1,000
환경 및 수출 분류
RoHS 준수 여부
ROHS3 Compliant
수분 민감도 수준(MSL)
1 (Unlimited)
REACH 상태
REACH Unaffected
증권 시세 표시기
EAR99
(주)헤수스
8541.29.0095
대체 모델
부품 번호
KSD1408YTU
제조사
Fairchild Semiconductor
구매 가능 수량
12762
부품 번호
KSD1408YTU-DG
단가
0.48
대체 유형
Direct
DIGI 인증
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