제조업체 제품 번호:
BSM300C12P3E301
Product Overview
제조사:
Rohm Semiconductor
부품 번호:
BSM300C12P3E301-DG
설명:
SICFET N-CH 1200V 300A MODULE
상세 설명:
N-Channel 1200 V 300A (Tc) 1360W (Tc) Module
재고:
13270349
견적 요청
수량
최소 1
최소 1
(*) 필수
24시간 이내에 답변드리겠습니다.
24시간 이내에 답변드리겠습니다.
제출
BSM300C12P3E301 기술 사양
카테고리
FETs, MOSFETs, 단일 FET, MOSFET
제조사
ROHM Semiconductor
포장
Bulk
시리즈
-
제품 상태
Active
FET 유형
N-Channel
기술
SiCFET (Silicon Carbide)
드레인-소스 전압(Vdss)
1200 V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
300A (Tc)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐)
-
Rds 켜기(최대) @ Id, Vgs
-
Vgs(일) (최대) @ Id
5.6V @ 80mA
Vgs(최대)
+22V, -4V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
1500 pF @ 10 V
FET 기능
Standard
전력 손실(최대)
1360W (Tc)
작동 온도
-40°C ~ 150°C (TJ)
공급업체 장치 패키지
Module
패키지 / 케이스
Module
기본 제품 번호
BSM300
데이터 시트 및 문서
데이터시트
추가 정보
다른 이름들
846-BSM300C12P3E301
표준 패키지
4
환경 및 수출 분류
RoHS 준수 여부
ROHS3 Compliant
수분 민감도 수준(MSL)
1 (Unlimited)
REACH 상태
REACH Unaffected
증권 시세 표시기
EAR99
(주)헤수스
8541.29.0095
DIGI 인증
관련 상품
IPC60R037P7X7SA1
MOSFET N-CH HI POWER WAFER
IPC60R070CFD7X7SA1
MOSFET N-CH HI POWER WAFER
BUZ111SLE3045A
MOSFET N-CH 50V 80A TO263
