제조업체 제품 번호:
DTB123YUT106
Product Overview
제조사:
Rohm Semiconductor
부품 번호:
DTB123YUT106-DG
설명:
TRANS PREBIAS PNP 50V 0.5A UMT3
상세 설명:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50 V 500 mA 200 MHz 200 mW Surface Mount UMT3
재고:
2780 새로운 원본 재고 있음
13524024
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제출
DTB123YUT106 기술 사양
카테고리
바이폴라 (BJT), 단일, 프리바이즈드 바이폴라 트랜지스터
제조사
ROHM Semiconductor
포장
Tape & Reel (TR)
시리즈
-
제품 상태
Active
트랜지스터 유형
PNP - Pre-Biased
전류 - 컬렉터(Ic)(최대)
500 mA
전압 - 컬렉터 이미터 고장(최대)
50 V
저항기 - 베이스(R1)
2.2 kOhms
저항기 - 이미터 베이스(R2)
10 kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce
56 @ 50mA, 5V
Vce 포화도(최대) @ Ib, Ic
300mV @ 2.5mA, 50mA
전류 - 컬렉터 컷오프(최대)
500nA
빈도 - 전환
200 MHz
전력 - 최대
200 mW
실장 형
Surface Mount
패키지 / 케이스
SC-70, SOT-323
공급업체 장치 패키지
UMT3
기본 제품 번호
DTB123
데이터 시트 및 문서
설계 리소스
신뢰성 문서
추가 정보
다른 이름들
DTB123YUT106TR
DTB123YUT106DKR
DTB123YUT106-ND
DTB123YUT106CT
표준 패키지
3,000
환경 및 수출 분류
RoHS 준수 여부
ROHS3 Compliant
수분 민감도 수준(MSL)
1 (Unlimited)
REACH 상태
REACH Unaffected
증권 시세 표시기
EAR99
(주)헤수스
8541.21.0075
대체 모델
부품 번호
DDTA123YUA-7-F
제조사
Diodes Incorporated
구매 가능 수량
650
부품 번호
DDTA123YUA-7-F-DG
단가
0.02
대체 유형
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Toshiba Semiconductor and Storage
구매 가능 수량
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단가
0.03
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