제조업체 제품 번호:
EMB10FHAT2R
Product Overview
제조사:
Rohm Semiconductor
부품 번호:
EMB10FHAT2R-DG
설명:
PNP+PNP DIGITAL TRANSISTOR (CORR
상세 설명:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 150mW Surface Mount EMT6
재고:
12966480
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제출
EMB10FHAT2R 기술 사양
카테고리
바이폴라 (BJT), 바이폴라 트랜지스터 배열, 프리 바이어스
제조사
ROHM Semiconductor
포장
-
시리즈
-
제품 상태
Not For New Designs
트랜지스터 유형
2 PNP - Pre-Biased (Dual)
전류 - 컬렉터(Ic)(최대)
100mA
전압 - 컬렉터 이미터 고장(최대)
50V
저항기 - 베이스(R1)
2.2kOhms
저항기 - 이미터 베이스(R2)
47kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce
80 @ 10mA, 5V
Vce 포화도(최대) @ Ib, Ic
300mV @ 250µA, 5mA
전류 - 컬렉터 컷오프(최대)
500nA
빈도 - 전환
250MHz
전력 - 최대
150mW
급
Automotive
자격
AEC-Q101
실장 형
Surface Mount
패키지 / 케이스
SOT-563, SOT-666
공급업체 장치 패키지
EMT6
기본 제품 번호
EMB10
데이터 시트 및 문서
추가 정보
다른 이름들
846-EMB10FHAT2RCT
846-EMB10FHAT2RTR
846-EMB10FHAT2RDKR
표준 패키지
8,000
환경 및 수출 분류
RoHS 준수 여부
ROHS3 Compliant
수분 민감도 수준(MSL)
1 (Unlimited)
REACH 상태
REACH Unaffected
증권 시세 표시기
EAR99
(주)헤수스
8541.21.0075
대체 모델
부품 번호
RN2905FE,LF(CT
제조사
Toshiba Semiconductor and Storage
구매 가능 수량
0
부품 번호
RN2905FE,LF(CT-DG
단가
0.02
대체 유형
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