제조업체 제품 번호:
ES6U1T2R
Product Overview
제조사:
Rohm Semiconductor
부품 번호:
ES6U1T2R-DG
설명:
MOSFET P-CH 12V 1.3A 6WEMT
상세 설명:
P-Channel 12 V 1.3A (Ta) 700mW (Ta) Surface Mount 6-WEMT
재고:
8330 새로운 원본 재고 있음
13523142
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제출
ES6U1T2R 기술 사양
카테고리
FETs, MOSFETs, 단일 FET, MOSFET
제조사
ROHM Semiconductor
포장
Tape & Reel (TR)
시리즈
-
제품 상태
Obsolete
FET 유형
P-Channel
기술
MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(Vdss)
12 V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
1.3A (Ta)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐)
1.5V, 4.5V
Rds 켜기(최대) @ Id, Vgs
260mOhm @ 1.3A, 4.5V
Vgs(일) (최대) @ Id
1V @ 1mA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
2.4 nC @ 4.5 V
Vgs(최대)
±10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
290 pF @ 6 V
FET 기능
Schottky Diode (Isolated)
전력 손실(최대)
700mW (Ta)
작동 온도
150°C (TJ)
실장 형
Surface Mount
공급업체 장치 패키지
6-WEMT
패키지 / 케이스
6-SMD, Flat Leads
데이터 시트 및 문서
데이터시트
추가 정보
다른 이름들
ES6U1T2RCT
ES6U1T2RDKR
ES6U1T2RTR
표준 패키지
8,000
환경 및 수출 분류
RoHS 준수 여부
ROHS3 Compliant
수분 민감도 수준(MSL)
1 (Unlimited)
REACH 상태
REACH Unaffected
증권 시세 표시기
EAR99
(주)헤수스
8541.21.0095
대체 모델
부품 번호
SSM6G18NU,LF
제조사
Toshiba Semiconductor and Storage
구매 가능 수량
3925
부품 번호
SSM6G18NU,LF-DG
단가
0.07
대체 유형
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