제조업체 제품 번호:
HP8M31TB1
Product Overview
제조사:
Rohm Semiconductor
부품 번호:
HP8M31TB1-DG
설명:
MOSFET N/P-CH 60V 8.5A 8HSOP
상세 설명:
Mosfet Array 60V 8.5A (Ta) 3W (Ta) Surface Mount 8-HSOP
재고:
1 새로운 원본 재고 있음
13524089
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제출
HP8M31TB1 기술 사양
카테고리
FETs, MOSFETs, FET, MOSFET 배열
제조사
ROHM Semiconductor
포장
Tape & Reel (TR)
시리즈
-
제품 상태
Active
기술
MOSFET (Metal Oxide)
구성
N and P-Channel
FET 기능
-
드레인-소스 전압(Vdss)
60V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
8.5A (Ta)
Rds 켜기(최대) @ Id, Vgs
65mOhm @ 8.5A, 10V, 70mOhm @ 8.5A, 10V
Vgs(일) (최대) @ Id
3V @ 1mA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
12.3nC @ 10V, 38nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
470pF @ 30V, 2300pF @ 30V
전력 - 최대
3W (Ta)
작동 온도
150°C (TJ)
실장 형
Surface Mount
패키지 / 케이스
8-PowerTDFN
공급업체 장치 패키지
8-HSOP
기본 제품 번호
HP8M31
데이터 시트 및 문서
데이터시트
추가 정보
다른 이름들
HP8M31TB1DKR
HP8M31TB1TR
HP8M31TB1CT
표준 패키지
2,500
환경 및 수출 분류
RoHS 준수 여부
ROHS3 Compliant
수분 민감도 수준(MSL)
1 (Unlimited)
REACH 상태
REACH Unaffected
증권 시세 표시기
EAR99
(주)헤수스
8541.29.0095
DIGI 인증
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