제조업체 제품 번호:
HS8K1TB
Product Overview
제조사:
Rohm Semiconductor
부품 번호:
HS8K1TB-DG
설명:
MOSFET 2N-CH 30V 10A/11A HSML
상세 설명:
Mosfet Array 30V 10A (Ta), 11A (Ta) 2W (Ta) Surface Mount HSML3030L10
재고:
10480 새로운 원본 재고 있음
13524957
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제출
HS8K1TB 기술 사양
카테고리
FETs, MOSFETs, FET, MOSFET 배열
제조사
ROHM Semiconductor
포장
Tape & Reel (TR)
시리즈
-
제품 상태
Active
기술
MOSFET (Metal Oxide)
구성
2 N-Channel (Dual)
FET 기능
-
드레인-소스 전압(Vdss)
30V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
10A (Ta), 11A (Ta)
Rds 켜기(최대) @ Id, Vgs
14.6mOhm @ 10A, 10V, 11.8mOhm @ 11A, 10V
Vgs(일) (최대) @ Id
2.5V @ 1mA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
6nC @ 10V, 7.4nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
348pF @ 15V, 429pF @ 15V
전력 - 최대
2W (Ta)
작동 온도
150°C (TJ)
실장 형
Surface Mount
패키지 / 케이스
8-UDFN Exposed Pad
공급업체 장치 패키지
HSML3030L10
기본 제품 번호
HS8K1
데이터 시트 및 문서
데이터시트
추가 정보
다른 이름들
HS8K1TBCT
HS8K1TBDKR
HS8K1TBTR
표준 패키지
3,000
환경 및 수출 분류
RoHS 준수 여부
ROHS3 Compliant
수분 민감도 수준(MSL)
1 (Unlimited)
REACH 상태
REACH Unaffected
증권 시세 표시기
EAR99
(주)헤수스
8541.29.0095
DIGI 인증
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