제조업체 제품 번호:
QS5U17TR
Product Overview
제조사:
Rohm Semiconductor
부품 번호:
QS5U17TR-DG
설명:
MOSFET N-CH 30V 2A TSMT5
상세 설명:
N-Channel 30 V 2A (Ta) 900mW (Ta) Surface Mount TSMT5
재고:
8691 새로운 원본 재고 있음
13526444
견적 요청
수량
최소 1
최소 1
(*) 필수
24시간 이내에 답변드리겠습니다.
24시간 이내에 답변드리겠습니다.
제출
QS5U17TR 기술 사양
카테고리
FETs, MOSFETs, 단일 FET, MOSFET
제조사
ROHM Semiconductor
포장
Tape & Reel (TR)
시리즈
-
제품 상태
Active
FET 유형
N-Channel
기술
MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(Vdss)
30 V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
2A (Ta)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐)
2.5V, 4.5V
Rds 켜기(최대) @ Id, Vgs
100mOhm @ 2A, 4.5V
Vgs(일) (최대) @ Id
1.5V @ 1mA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
3.9 nC @ 4.5 V
Vgs(최대)
±12V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
175 pF @ 10 V
FET 기능
Schottky Diode (Isolated)
전력 손실(최대)
900mW (Ta)
작동 온도
150°C (TJ)
실장 형
Surface Mount
공급업체 장치 패키지
TSMT5
패키지 / 케이스
SOT-23-5 Thin, TSOT-23-5
기본 제품 번호
QS5U17
데이터 시트 및 문서
설계 리소스
데이터시트
추가 정보
다른 이름들
QS5U17CT
QS5U17DKR
표준 패키지
3,000
환경 및 수출 분류
RoHS 준수 여부
ROHS3 Compliant
수분 민감도 수준(MSL)
1 (Unlimited)
REACH 상태
REACH Unaffected
증권 시세 표시기
EAR99
(주)헤수스
8541.21.0095
DIGI 인증
관련 상품
RDN100N20FU6
MOSFET N-CH 200V 10A TO220FN
RQ6E080AJTCR
MOSFET N-CH 30V 8A TSMT6
RE1C002ZPTL
MOSFET P-CH 20V 200MA EMT3F