제조업체 제품 번호:
QS8J2TR
Product Overview
제조사:
Rohm Semiconductor
부품 번호:
QS8J2TR-DG
설명:
MOSFET 2P-CH 12V 4A TSMT8
상세 설명:
Mosfet Array 12V 4A 550mW Surface Mount TSMT8
재고:
7544 새로운 원본 재고 있음
13526045
견적 요청
수량
최소 1
최소 1
(*) 필수
24시간 이내에 답변드리겠습니다.
24시간 이내에 답변드리겠습니다.
제출
QS8J2TR 기술 사양
카테고리
FETs, MOSFETs, FET, MOSFET 배열
제조사
ROHM Semiconductor
포장
Tape & Reel (TR)
시리즈
-
제품 상태
Active
기술
MOSFET (Metal Oxide)
구성
2 P-Channel (Dual)
FET 기능
Logic Level Gate, 1.5V Drive
드레인-소스 전압(Vdss)
12V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
4A
Rds 켜기(최대) @ Id, Vgs
36mOhm @ 4A, 4.5V
Vgs(일) (최대) @ Id
1V @ 1mA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
20nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
1940pF @ 6V
전력 - 최대
550mW
작동 온도
150°C (TJ)
실장 형
Surface Mount
패키지 / 케이스
8-SMD, Flat Lead
공급업체 장치 패키지
TSMT8
기본 제품 번호
QS8J2
데이터 시트 및 문서
추가 정보
다른 이름들
846-QS8J2TR
QS8J2TR-ND
846-QS8J2CT
846-QS8J2DKR
표준 패키지
3,000
환경 및 수출 분류
RoHS 준수 여부
ROHS3 Compliant
수분 민감도 수준(MSL)
1 (Unlimited)
REACH 상태
REACH Unaffected
증권 시세 표시기
EAR99
(주)헤수스
8541.21.0095
DIGI 인증
관련 상품
