제조업체 제품 번호:
R6009JNJGTL
Product Overview
제조사:
Rohm Semiconductor
부품 번호:
R6009JNJGTL-DG
설명:
MOSFET N-CH 600V 9A LPTS
상세 설명:
N-Channel 600 V 9A (Tc) 125W (Tc) Surface Mount LPTS
재고:
1000 새로운 원본 재고 있음
13526555
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제출
R6009JNJGTL 기술 사양
카테고리
FETs, MOSFETs, 단일 FET, MOSFET
제조사
ROHM Semiconductor
포장
Tape & Reel (TR)
시리즈
-
제품 상태
Active
FET 유형
N-Channel
기술
MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(Vdss)
600 V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
9A (Tc)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐)
15V
Rds 켜기(최대) @ Id, Vgs
585mOhm @ 4.5A, 15V
Vgs(일) (최대) @ Id
7V @ 1.38mA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
22 nC @ 15 V
Vgs(최대)
±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
645 pF @ 100 V
FET 기능
-
전력 손실(최대)
125W (Tc)
작동 온도
-55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형
Surface Mount
공급업체 장치 패키지
LPTS
패키지 / 케이스
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
기본 제품 번호
R6009
데이터 시트 및 문서
데이터시트
추가 정보
다른 이름들
R6009JNJGTLCT
R6009JNJGTLDKR
R6009JNJGTLTR
표준 패키지
1,000
환경 및 수출 분류
RoHS 준수 여부
ROHS3 Compliant
수분 민감도 수준(MSL)
1 (Unlimited)
REACH 상태
REACH Unaffected
증권 시세 표시기
EAR99
(주)헤수스
8541.29.0095
DIGI 인증
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