제조업체 제품 번호:
R6012JNXC7G
Product Overview
제조사:
Rohm Semiconductor
부품 번호:
R6012JNXC7G-DG
설명:
MOSFET N-CH 600V 12A TO220FM
상세 설명:
N-Channel 600 V 12A (Tc) 60W (Tc) Through Hole TO-220FM
재고:
12851603
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제출
R6012JNXC7G 기술 사양
카테고리
FETs, MOSFETs, 단일 FET, MOSFET
제조사
ROHM Semiconductor
포장
Tube
시리즈
-
제품 상태
Active
FET 유형
N-Channel
기술
MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(Vdss)
600 V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
12A (Tc)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐)
15V
Rds 켜기(최대) @ Id, Vgs
390mOhm @ 6A, 15V
Vgs(일) (최대) @ Id
7V @ 2.5mA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
28 nC @ 15 V
Vgs(최대)
±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
900 pF @ 100 V
FET 기능
-
전력 손실(최대)
60W (Tc)
작동 온도
150°C (TJ)
실장 형
Through Hole
공급업체 장치 패키지
TO-220FM
패키지 / 케이스
TO-220-3 Full Pack
기본 제품 번호
R6012
데이터 시트 및 문서
데이터시트
추가 정보
다른 이름들
846-R6012JNXC7G
표준 패키지
50
환경 및 수출 분류
RoHS 준수 여부
ROHS3 Compliant
수분 민감도 수준(MSL)
1 (Unlimited)
REACH 상태
REACH Unaffected
증권 시세 표시기
EAR99
(주)헤수스
8541.29.0095
DIGI 인증
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