제조업체 제품 번호:
R6022YNZ4C13
Product Overview
제조사:
Rohm Semiconductor
부품 번호:
R6022YNZ4C13-DG
설명:
NCH 600V 22A, TO-247, POWER MOSF
상세 설명:
N-Channel 600 V 22A (Tc) 205W (Tc) Through Hole TO-247G
재고:
600 새로운 원본 재고 있음
13001130
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제출
R6022YNZ4C13 기술 사양
카테고리
FETs, MOSFETs, 단일 FET, MOSFET
제조사
ROHM Semiconductor
포장
Tube
시리즈
-
제품 상태
Active
FET 유형
N-Channel
기술
MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(Vdss)
600 V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
22A (Tc)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐)
10V, 12V
Rds 켜기(최대) @ Id, Vgs
165mOhm @ 6.5A, 12V
Vgs(일) (최대) @ Id
6V @ 1.8mA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
33 nC @ 10 V
Vgs(최대)
±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
1400 pF @ 100 V
FET 기능
-
전력 손실(최대)
205W (Tc)
작동 온도
150°C (TJ)
실장 형
Through Hole
공급업체 장치 패키지
TO-247G
패키지 / 케이스
TO-247-3
기본 제품 번호
R6022
데이터 시트 및 문서
데이터시트
추가 정보
다른 이름들
846-R6022YNZ4C13
표준 패키지
30
환경 및 수출 분류
수분 민감도 수준(MSL)
1 (Unlimited)
증권 시세 표시기
EAR99
(주)헤수스
8541.29.0095
DIGI 인증
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