제조업체 제품 번호:
R6025JNZC8
Product Overview
제조사:
Rohm Semiconductor
부품 번호:
R6025JNZC8-DG
설명:
MOSFET N-CH 600V 25A TO3PF
상세 설명:
N-Channel 600 V 25A (Tc) 85W (Tc) Through Hole TO-3PF
재고:
13 새로운 원본 재고 있음
13527379
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제출
R6025JNZC8 기술 사양
카테고리
FETs, MOSFETs, 단일 FET, MOSFET
제조사
ROHM Semiconductor
포장
Bag
시리즈
-
제품 상태
Obsolete
FET 유형
N-Channel
기술
MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(Vdss)
600 V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
25A (Tc)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐)
15V
Rds 켜기(최대) @ Id, Vgs
182mOhm @ 12.5A, 15V
Vgs(일) (최대) @ Id
7V @ 4.5mA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
57 nC @ 15 V
Vgs(최대)
±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
1900 pF @ 100 V
FET 기능
-
전력 손실(최대)
85W (Tc)
작동 온도
-55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형
Through Hole
공급업체 장치 패키지
TO-3PF
패키지 / 케이스
TO-3P-3 Full Pack
기본 제품 번호
R6025
추가 정보
표준 패키지
360
환경 및 수출 분류
RoHS 준수 여부
ROHS3 Compliant
수분 민감도 수준(MSL)
1 (Unlimited)
REACH 상태
REACH Unaffected
증권 시세 표시기
EAR99
(주)헤수스
8541.29.0095
대체 모델
DIGI 인증
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