제조업체 제품 번호:
R6509ENXC7G
Product Overview
제조사:
Rohm Semiconductor
부품 번호:
R6509ENXC7G-DG
설명:
650V 9A TO-220FM, LOW-NOISE POWE
상세 설명:
N-Channel 650 V 9A (Ta) 48W (Tc) Through Hole TO-220FM
재고:
994 새로운 원본 재고 있음
12974246
견적 요청
수량
최소 1
최소 1
(*) 필수
24시간 이내에 답변드리겠습니다.
24시간 이내에 답변드리겠습니다.
제출
R6509ENXC7G 기술 사양
카테고리
FETs, MOSFETs, 단일 FET, MOSFET
제조사
ROHM Semiconductor
포장
Tube
시리즈
-
제품 상태
Active
FET 유형
N-Channel
기술
MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(Vdss)
650 V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
9A (Ta)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐)
10V
Rds 켜기(최대) @ Id, Vgs
585mOhm @ 2.8A, 10V
Vgs(일) (최대) @ Id
4V @ 230µA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
24 nC @ 10 V
Vgs(최대)
±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
430 pF @ 25 V
FET 기능
-
전력 손실(최대)
48W (Tc)
작동 온도
150°C (TJ)
실장 형
Through Hole
공급업체 장치 패키지
TO-220FM
패키지 / 케이스
TO-220-3 Full Pack
기본 제품 번호
R6509
데이터 시트 및 문서
데이터시트
추가 정보
다른 이름들
846-R6509ENXC7G
표준 패키지
50
환경 및 수출 분류
RoHS 준수 여부
ROHS3 Compliant
수분 민감도 수준(MSL)
1 (Unlimited)
REACH 상태
REACH Unaffected
증권 시세 표시기
EAR99
(주)헤수스
8541.29.0095
DIGI 인증
관련 상품
PJS6415A_S2_00001
20V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
NVMFS2D3P04M8LT1G
MV8 P INITIAL PROGRAM
PJQ5442_R2_00001
40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
