제조업체 제품 번호:
RF4E070BNTR
Product Overview
제조사:
Rohm Semiconductor
부품 번호:
RF4E070BNTR-DG
설명:
MOSFET N-CH 30V 7A HUML2020L8
상세 설명:
N-Channel 30 V 7A (Ta) 2W (Ta) Surface Mount HUML2020L8
재고:
780 새로운 원본 재고 있음
13526023
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제출
RF4E070BNTR 기술 사양
카테고리
FETs, MOSFETs, 단일 FET, MOSFET
제조사
ROHM Semiconductor
포장
Tape & Reel (TR)
시리즈
-
제품 상태
Not For New Designs
FET 유형
N-Channel
기술
MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(Vdss)
30 V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
7A (Ta)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐)
4.5V, 10V
Rds 켜기(최대) @ Id, Vgs
28.6mOhm @ 7A, 10V
Vgs(일) (최대) @ Id
2V @ 250µA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
8.9 nC @ 10 V
Vgs(최대)
±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
410 pF @ 15 V
FET 기능
-
전력 손실(최대)
2W (Ta)
작동 온도
150°C (TJ)
실장 형
Surface Mount
공급업체 장치 패키지
HUML2020L8
패키지 / 케이스
8-PowerUDFN
기본 제품 번호
RF4E070
데이터 시트 및 문서
추가 정보
다른 이름들
RF4E070BNTRCT
RF4E070BNTRTR
RF4E070BNTRDKR
표준 패키지
3,000
환경 및 수출 분류
RoHS 준수 여부
ROHS3 Compliant
수분 민감도 수준(MSL)
1 (Unlimited)
REACH 상태
REACH Unaffected
증권 시세 표시기
EAR99
(주)헤수스
8541.29.0095
대체 모델
부품 번호
DMG4800LFG-7
제조사
Diodes Incorporated
구매 가능 수량
8474
부품 번호
DMG4800LFG-7-DG
단가
0.12
대체 유형
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