제조업체 제품 번호:
RHU002N06FRAT106
Product Overview
제조사:
Rohm Semiconductor
부품 번호:
RHU002N06FRAT106-DG
설명:
MOSFET N-CH 60V 200MA UMT3
상세 설명:
N-Channel 60 V 200mA (Ta) 200mW (Ta) Surface Mount UMT3
재고:
13608 새로운 원본 재고 있음
12851829
견적 요청
수량
최소 1
최소 1
(*) 필수
24시간 이내에 답변드리겠습니다.
24시간 이내에 답변드리겠습니다.
제출
RHU002N06FRAT106 기술 사양
카테고리
FETs, MOSFETs, 단일 FET, MOSFET
제조사
ROHM Semiconductor
포장
Tape & Reel (TR)
시리즈
-
제품 상태
Active
FET 유형
N-Channel
기술
MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(Vdss)
60 V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
200mA (Ta)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐)
4V, 10V
Rds 켜기(최대) @ Id, Vgs
2.4Ohm @ 200mA, 10V
Vgs(일) (최대) @ Id
2.5V @ 1mA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
4.4 nC @ 10 V
Vgs(최대)
±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
15 pF @ 10 V
FET 기능
-
전력 손실(최대)
200mW (Ta)
작동 온도
150°C (TJ)
실장 형
Surface Mount
공급업체 장치 패키지
UMT3
패키지 / 케이스
SC-70, SOT-323
기본 제품 번호
RHU002
데이터 시트 및 문서
데이터시트
추가 정보
다른 이름들
RHU002N06FRAT106-DG
846-RHU002N06FRAT106DKR
846-RHU002N06FRAT106TR
846-RHU002N06FRAT106CT
표준 패키지
3,000
환경 및 수출 분류
RoHS 준수 여부
ROHS3 Compliant
수분 민감도 수준(MSL)
1 (Unlimited)
REACH 상태
REACH Unaffected
증권 시세 표시기
EAR99
(주)헤수스
8541.21.0095
DIGI 인증
관련 상품
MPF990
MOSFET N-CH 90V 2A TO92-3
IPD80R360P7ATMA1
MOSFET N-CH 800V 13A TO252-3
BSC022N04LSATMA1
MOSFET N-CH 40V 100A TDSON-8-6
