RHU002N06T106
제조업체 제품 번호:

RHU002N06T106

Product Overview

제조사:

Rohm Semiconductor

부품 번호:

RHU002N06T106-DG

설명:

MOSFET N-CH 60V 200MA UMT3
상세 설명:
N-Channel 60 V 200mA (Ta) 200mW (Ta) Surface Mount UMT3

재고:

49952 새로운 원본 재고 있음
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제출

RHU002N06T106 기술 사양

카테고리
FETs, MOSFETs, 단일 FET, MOSFET
제조사
ROHM Semiconductor
포장
Tape & Reel (TR)
시리즈
-
제품 상태
Not For New Designs
FET 유형
N-Channel
기술
MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(Vdss)
60 V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
200mA (Ta)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐)
4V, 10V
Rds 켜기(최대) @ Id, Vgs
2.4Ohm @ 200mA, 10V
Vgs(일) (최대) @ Id
-
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
4.4 nC @ 10 V
Vgs(최대)
±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
15 pF @ 10 V
FET 기능
-
전력 손실(최대)
200mW (Ta)
작동 온도
150°C (TJ)
실장 형
Surface Mount
공급업체 장치 패키지
UMT3
패키지 / 케이스
SC-70, SOT-323
기본 제품 번호
RHU002

추가 정보

다른 이름들
RHU002N06T106CT
RHU002N06T106-ND
RHU002N06T106TR
Q6155834
RHU002N06T106DKR
표준 패키지
3,000

환경 및 수출 분류

RoHS 준수 여부
ROHS3 Compliant
수분 민감도 수준(MSL)
1 (Unlimited)
REACH 상태
REACH Unaffected
증권 시세 표시기
EAR99
(주)헤수스
8541.21.0095

대체 모델

부품 번호
2N7002W-TP
제조사
Micro Commercial Co
구매 가능 수량
33037
부품 번호
2N7002W-TP-DG
단가
0.03
대체 유형
Direct
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51085
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단가
0.03
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