제조업체 제품 번호:
RQ3G110ATTB
Product Overview
제조사:
Rohm Semiconductor
부품 번호:
RQ3G110ATTB-DG
설명:
PCH -40V -35A, HSMT8, POWER MOSF
상세 설명:
P-Channel 40 V 11A (Ta), 35A (Tc) 2W (Ta) Surface Mount 8-HSMT (3.2x3)
재고:
8639 새로운 원본 재고 있음
12967385
견적 요청
수량
최소 1
최소 1
(*) 필수
24시간 이내에 답변드리겠습니다.
24시간 이내에 답변드리겠습니다.
제출
RQ3G110ATTB 기술 사양
카테고리
FETs, MOSFETs, 단일 FET, MOSFET
제조사
ROHM Semiconductor
포장
Tape & Reel (TR)
시리즈
-
제품 상태
Active
FET 유형
P-Channel
기술
MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(Vdss)
40 V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
11A (Ta), 35A (Tc)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐)
4.5V, 10V
Rds 켜기(최대) @ Id, Vgs
12.4mOhm @ 11A, 10V
Vgs(일) (최대) @ Id
2.5V @ 1mA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
46 nC @ 10 V
Vgs(최대)
±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
2750 pF @ 20 V
FET 기능
-
전력 손실(최대)
2W (Ta)
작동 온도
150°C (TJ)
실장 형
Surface Mount
공급업체 장치 패키지
8-HSMT (3.2x3)
패키지 / 케이스
8-PowerVDFN
기본 제품 번호
RQ3G110
데이터 시트 및 문서
데이터시트
추가 정보
다른 이름들
846-RQ3G110ATTBTR
846-RQ3G110ATTBCT
846-RQ3G110ATTBDKR
표준 패키지
3,000
환경 및 수출 분류
RoHS 준수 여부
ROHS3 Compliant
수분 민감도 수준(MSL)
1 (Unlimited)
REACH 상태
REACH Unaffected
증권 시세 표시기
EAR99
(주)헤수스
8541.29.0095
DIGI 인증
관련 상품
PSMN9R5-100PS,127
NEXPERIA PSMN9R5-100PS - 89A, 10
SCT2160KEGC11
1200V, 22A, THD, SILICON-CARBIDE
R6530ENZ4C13
650V 30A TO-247, LOW-NOISE POWER
