제조업체 제품 번호:
RS1E200GNTB
Product Overview
제조사:
Rohm Semiconductor
부품 번호:
RS1E200GNTB-DG
설명:
MOSFET N-CH 30V 20A 8HSOP
상세 설명:
N-Channel 30 V 20A (Ta), 57A (Tc) 3W (Ta), 25W (Tc) Surface Mount 8-HSOP
재고:
2460 새로운 원본 재고 있음
13527276
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제출
RS1E200GNTB 기술 사양
카테고리
FETs, MOSFETs, 단일 FET, MOSFET
제조사
ROHM Semiconductor
포장
Tape & Reel (TR)
시리즈
-
제품 상태
Active
FET 유형
N-Channel
기술
MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(Vdss)
30 V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
20A (Ta), 57A (Tc)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐)
4.5V, 10V
Rds 켜기(최대) @ Id, Vgs
4.6mOhm @ 20A, 10V
Vgs(일) (최대) @ Id
2.5V @ 1mA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
16.8 nC @ 10 V
Vgs(최대)
±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
1080 pF @ 15 V
FET 기능
-
전력 손실(최대)
3W (Ta), 25W (Tc)
작동 온도
150°C (TJ)
실장 형
Surface Mount
공급업체 장치 패키지
8-HSOP
패키지 / 케이스
8-PowerTDFN
기본 제품 번호
RS1E
데이터 시트 및 문서
데이터시트
추가 정보
다른 이름들
RS1E200GNTBDKR
RS1E200GNTBCT
RS1E200GNTBTR
표준 패키지
2,500
환경 및 수출 분류
RoHS 준수 여부
ROHS3 Compliant
수분 민감도 수준(MSL)
1 (Unlimited)
REACH 상태
REACH Unaffected
증권 시세 표시기
EAR99
(주)헤수스
8541.29.0095
대체 모델
부품 번호
BSC042N03LSGATMA1
제조사
Infineon Technologies
구매 가능 수량
11717
부품 번호
BSC042N03LSGATMA1-DG
단가
0.35
대체 유형
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