제조업체 제품 번호:
RSU002P03T106
Product Overview
제조사:
Rohm Semiconductor
부품 번호:
RSU002P03T106-DG
설명:
MOSFET P-CH 30V 250MA UMT3
상세 설명:
P-Channel 30 V 250mA (Ta) 200mW (Ta) Surface Mount UMT3
재고:
12304 새로운 원본 재고 있음
13526496
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제출
RSU002P03T106 기술 사양
카테고리
FETs, MOSFETs, 단일 FET, MOSFET
제조사
ROHM Semiconductor
포장
Tape & Reel (TR)
시리즈
-
제품 상태
Active
FET 유형
P-Channel
기술
MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(Vdss)
30 V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
250mA (Ta)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐)
4V, 10V
Rds 켜기(최대) @ Id, Vgs
1.4Ohm @ 250mA, 10V
Vgs(일) (최대) @ Id
2.5V @ 1mA
Vgs(최대)
±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
30 pF @ 10 V
FET 기능
-
전력 손실(최대)
200mW (Ta)
작동 온도
150°C (TJ)
실장 형
Surface Mount
공급업체 장치 패키지
UMT3
패키지 / 케이스
SC-70, SOT-323
기본 제품 번호
RSU002
데이터 시트 및 문서
데이터시트
추가 정보
다른 이름들
RSU002P03T106TR
RSU002P03T106DKR
RSU002P03T106CT
표준 패키지
3,000
환경 및 수출 분류
RoHS 준수 여부
ROHS3 Compliant
수분 민감도 수준(MSL)
1 (Unlimited)
REACH 상태
REACH Unaffected
증권 시세 표시기
EAR99
(주)헤수스
8541.21.0095
DIGI 인증
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