제조업체 제품 번호:
RV2C010UNT2L
Product Overview
제조사:
Rohm Semiconductor
부품 번호:
RV2C010UNT2L-DG
설명:
MOSFET N-CH 20V 1A DFN1006-3
상세 설명:
N-Channel 20 V 1A (Ta) 400mW (Ta) Surface Mount VML1006
재고:
2757 새로운 원본 재고 있음
13527498
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제출
RV2C010UNT2L 기술 사양
카테고리
FETs, MOSFETs, 단일 FET, MOSFET
제조사
ROHM Semiconductor
포장
Tape & Reel (TR)
시리즈
-
제품 상태
Active
FET 유형
N-Channel
기술
MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(Vdss)
20 V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
1A (Ta)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐)
1.2V, 4.5V
Rds 켜기(최대) @ Id, Vgs
470mOhm @ 500mA, 4.5V
Vgs(일) (최대) @ Id
1V @ 1mA
Vgs(최대)
±8V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
40 pF @ 10 V
FET 기능
-
전력 손실(최대)
400mW (Ta)
작동 온도
150°C (TJ)
실장 형
Surface Mount
공급업체 장치 패키지
VML1006
패키지 / 케이스
SC-101, SOT-883
기본 제품 번호
RV2C010
데이터 시트 및 문서
추가 정보
다른 이름들
RV2C010UNT2LCT
RV2C010UNT2LDKR
RV2C010UNT2LTR
표준 패키지
8,000
환경 및 수출 분류
RoHS 준수 여부
ROHS3 Compliant
수분 민감도 수준(MSL)
1 (Unlimited)
REACH 상태
REACH Unaffected
증권 시세 표시기
EAR99
(주)헤수스
8541.21.0095
대체 모델
부품 번호
PMZB290UNE2YL
제조사
Nexperia USA Inc.
구매 가능 수량
35118
부품 번호
PMZB290UNE2YL-DG
단가
0.04
대체 유형
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