제조업체 제품 번호:
RW1E025RPT2CR
Product Overview
제조사:
Rohm Semiconductor
부품 번호:
RW1E025RPT2CR-DG
설명:
MOSFET P-CH 30V 2.5A 6WEMT
상세 설명:
P-Channel 30 V 2.5A (Ta) 700mW (Ta) Surface Mount 6-WEMT
재고:
13524454
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제출
RW1E025RPT2CR 기술 사양
카테고리
FETs, MOSFETs, 단일 FET, MOSFET
제조사
ROHM Semiconductor
포장
Cut Tape (CT) & Digi-Reel®
시리즈
-
제품 상태
Obsolete
FET 유형
P-Channel
기술
MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(Vdss)
30 V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
2.5A (Ta)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐)
4V, 10V
Rds 켜기(최대) @ Id, Vgs
75mOhm @ 2.5A, 10V
Vgs(일) (최대) @ Id
2.5V @ 1mA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
5.2 nC @ 5 V
Vgs(최대)
±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
480 pF @ 10 V
FET 기능
-
전력 손실(최대)
700mW (Ta)
작동 온도
150°C (TJ)
실장 형
Surface Mount
공급업체 장치 패키지
6-WEMT
패키지 / 케이스
6-SMD, Flat Leads
기본 제품 번호
RW1E025
데이터 시트 및 문서
데이터시트
추가 정보
다른 이름들
RW1E025RPT2CRCT
RW1E025RPT2CRDKR
RW1E025RPT2CRTR
표준 패키지
8,000
환경 및 수출 분류
RoHS 준수 여부
ROHS3 Compliant
수분 민감도 수준(MSL)
1 (Unlimited)
REACH 상태
REACH Unaffected
증권 시세 표시기
EAR99
(주)헤수스
8541.21.0095
대체 모델
부품 번호
SSM6J214FE(TE85L,F
제조사
Toshiba Semiconductor and Storage
구매 가능 수량
19745
부품 번호
SSM6J214FE(TE85L,F-DG
단가
0.08
대체 유형
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