제조업체 제품 번호:
SCT2120AFC
Product Overview
제조사:
Rohm Semiconductor
부품 번호:
SCT2120AFC-DG
설명:
SICFET N-CH 650V 29A TO220AB
상세 설명:
N-Channel 650 V 29A (Tc) 165W (Tc) Through Hole TO-220AB
재고:
13526957
견적 요청
수량
최소 1
최소 1
(*) 필수
24시간 이내에 답변드리겠습니다.
24시간 이내에 답변드리겠습니다.
제출
SCT2120AFC 기술 사양
카테고리
FETs, MOSFETs, 단일 FET, MOSFET
제조사
ROHM Semiconductor
포장
-
시리즈
-
제품 상태
Obsolete
FET 유형
N-Channel
기술
SiCFET (Silicon Carbide)
드레인-소스 전압(Vdss)
650 V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
29A (Tc)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐)
18V
Rds 켜기(최대) @ Id, Vgs
156mOhm @ 10A, 18V
Vgs(일) (최대) @ Id
4V @ 3.3mA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
61 nC @ 18 V
Vgs(최대)
+22V, -6V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
1200 pF @ 500 V
FET 기능
-
전력 손실(최대)
165W (Tc)
작동 온도
175°C (TJ)
실장 형
Through Hole
공급업체 장치 패키지
TO-220AB
패키지 / 케이스
TO-220-3
기본 제품 번호
SCT2120
데이터 시트 및 문서
신뢰성 문서
추가 정보
다른 이름들
SCT2120AFCU
표준 패키지
50
환경 및 수출 분류
RoHS 준수 여부
ROHS3 Compliant
수분 민감도 수준(MSL)
1 (Unlimited)
REACH 상태
REACH Unaffected
증권 시세 표시기
EAR99
(주)헤수스
8541.29.0095
대체 모델
부품 번호
IPP65R190E6XKSA1
제조사
Infineon Technologies
구매 가능 수량
580
부품 번호
IPP65R190E6XKSA1-DG
단가
1.52
대체 유형
Similar
부품 번호
SPP24N60C3XKSA1
제조사
Infineon Technologies
구매 가능 수량
129
부품 번호
SPP24N60C3XKSA1-DG
단가
2.95
대체 유형
Similar
부품 번호
TK17E65W,S1X
제조사
Toshiba Semiconductor and Storage
구매 가능 수량
12
부품 번호
TK17E65W,S1X-DG
단가
1.35
대체 유형
Similar
DIGI 인증
관련 상품
RRH100P03TB1
MOSFET P-CH 30V 10A 8SOP
US5U2TR
MOSFET N-CH 30V 1.4A TUMT5
R6015ANZC8
MOSFET N-CH 600V 15A TO3PF
