제조업체 제품 번호:
SCT2H12NZGC11
Product Overview
제조사:
Rohm Semiconductor
부품 번호:
SCT2H12NZGC11-DG
설명:
SICFET N-CH 1700V 3.7A TO3PFM
상세 설명:
N-Channel 1700 V 3.7A (Tc) 35W (Tc) Through Hole TO-3PFM
재고:
2461 새로운 원본 재고 있음
13526754
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제출
SCT2H12NZGC11 기술 사양
카테고리
FETs, MOSFETs, 단일 FET, MOSFET
제조사
ROHM Semiconductor
포장
Tube
시리즈
-
제품 상태
Active
FET 유형
N-Channel
기술
SiCFET (Silicon Carbide)
드레인-소스 전압(Vdss)
1700 V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
3.7A (Tc)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐)
18V
Rds 켜기(최대) @ Id, Vgs
1.5Ohm @ 1.1A, 18V
Vgs(일) (최대) @ Id
4V @ 900µA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
14 nC @ 18 V
Vgs(최대)
+22V, -6V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
184 pF @ 800 V
FET 기능
-
전력 손실(최대)
35W (Tc)
작동 온도
175°C (TJ)
실장 형
Through Hole
공급업체 장치 패키지
TO-3PFM
패키지 / 케이스
TO-3PFM, SC-93-3
기본 제품 번호
SCT2H12
데이터 시트 및 문서
설계 리소스
신뢰성 문서
추가 정보
표준 패키지
30
환경 및 수출 분류
RoHS 준수 여부
ROHS3 Compliant
수분 민감도 수준(MSL)
1 (Unlimited)
REACH 상태
REACH Unaffected
증권 시세 표시기
EAR99
(주)헤수스
8541.29.0095
DIGI 인증
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