제조업체 제품 번호:
SCT4045DRHRC15
Product Overview
제조사:
Rohm Semiconductor
부품 번호:
SCT4045DRHRC15-DG
설명:
750V, 34A, 4-PIN THD, TRENCH-STR
상세 설명:
N-Channel 750 V 34A (Tc) 115W Through Hole TO-247-4L
재고:
60 새로운 원본 재고 있음
13001083
견적 요청
수량
최소 1
최소 1
(*) 필수
24시간 이내에 답변드리겠습니다.
24시간 이내에 답변드리겠습니다.
제출
SCT4045DRHRC15 기술 사양
카테고리
FETs, MOSFETs, 단일 FET, MOSFET
제조사
ROHM Semiconductor
포장
Tube
시리즈
-
제품 상태
Active
FET 유형
N-Channel
기술
SiCFET (Silicon Carbide)
드레인-소스 전압(Vdss)
750 V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
34A (Tc)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐)
18V
Rds 켜기(최대) @ Id, Vgs
59mOhm @ 17A, 18V
Vgs(일) (최대) @ Id
4.8V @ 8.89mA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
63 nC @ 18 V
Vgs(최대)
+21V, -4V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
1460 pF @ 500 V
FET 기능
-
전력 손실(최대)
115W
작동 온도
175°C (TJ)
급
Automotive
자격
AEC-Q101
실장 형
Through Hole
공급업체 장치 패키지
TO-247-4L
패키지 / 케이스
TO-247-4
데이터 시트 및 문서
데이터시트
추가 정보
다른 이름들
846-SCT4045DRHRC15
표준 패키지
30
환경 및 수출 분류
RoHS 준수 여부
ROHS3 Compliant
수분 민감도 수준(MSL)
1 (Unlimited)
REACH 상태
REACH Unaffected
증권 시세 표시기
EAR99
(주)헤수스
8541.29.0095
DIGI 인증
관련 상품
G26P04K
P-40V,RD(MAX)<18M@-10V,RD(MAX)<2
RS6L120BGTB1
NCH 60V 120A, HSOP8, POWER MOSFE
G11S
P-20V,RD(MAX)<[email protected],RD(MAX
