제조업체 제품 번호:
US6M11TR
Product Overview
제조사:
Rohm Semiconductor
부품 번호:
US6M11TR-DG
설명:
MOSFET N/P-CH 20V/12V TUMT6
상세 설명:
Mosfet Array 20V, 12V 1.5A, 1.3A 1W Surface Mount TUMT6
재고:
13750 새로운 원본 재고 있음
13525404
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제출
US6M11TR 기술 사양
카테고리
FETs, MOSFETs, FET, MOSFET 배열
제조사
ROHM Semiconductor
포장
Tape & Reel (TR)
시리즈
-
제품 상태
Active
기술
MOSFET (Metal Oxide)
구성
N and P-Channel
FET 기능
Logic Level Gate
드레인-소스 전압(Vdss)
20V, 12V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
1.5A, 1.3A
Rds 켜기(최대) @ Id, Vgs
180mOhm @ 1.5A, 4.5V
Vgs(일) (최대) @ Id
1V @ 1mA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
1.8nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
110pF @ 10V
전력 - 최대
1W
작동 온도
150°C (TJ)
실장 형
Surface Mount
패키지 / 케이스
6-SMD, Flat Leads
공급업체 장치 패키지
TUMT6
기본 제품 번호
US6M11
데이터 시트 및 문서
추가 정보
다른 이름들
US6M11CT
US6M11DKR
표준 패키지
3,000
환경 및 수출 분류
RoHS 준수 여부
ROHS3 Compliant
수분 민감도 수준(MSL)
1 (Unlimited)
REACH 상태
REACH Unaffected
증권 시세 표시기
EAR99
(주)헤수스
8541.29.0095
DIGI 인증
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