제조업체 제품 번호:
VT6M1T2CR
Product Overview
제조사:
Rohm Semiconductor
부품 번호:
VT6M1T2CR-DG
설명:
MOSFET N/P-CH 20V 0.1A VMT6
상세 설명:
Mosfet Array 20V 100mA 120mW Surface Mount VMT6
재고:
64626 새로운 원본 재고 있음
13525860
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제출
VT6M1T2CR 기술 사양
카테고리
FETs, MOSFETs, FET, MOSFET 배열
제조사
ROHM Semiconductor
포장
Tape & Reel (TR)
시리즈
-
제품 상태
Active
기술
MOSFET (Metal Oxide)
구성
N and P-Channel
FET 기능
Logic Level Gate, 1.2V Drive
드레인-소스 전압(Vdss)
20V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
100mA
Rds 켜기(최대) @ Id, Vgs
3.5Ohm @ 100mA, 4.5V
Vgs(일) (최대) @ Id
1V @ 100µA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
-
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
7.1pF @ 10V
전력 - 최대
120mW
작동 온도
150°C (TJ)
실장 형
Surface Mount
패키지 / 케이스
6-SMD, Flat Leads
공급업체 장치 패키지
VMT6
기본 제품 번호
VT6M1
데이터 시트 및 문서
추가 정보
다른 이름들
VT6M1T2CRCT
VT6M1T2CRTR
VT6M1T2CRDKR
표준 패키지
8,000
환경 및 수출 분류
RoHS 준수 여부
ROHS3 Compliant
수분 민감도 수준(MSL)
1 (Unlimited)
REACH 상태
REACH Unaffected
증권 시세 표시기
EAR99
(주)헤수스
8541.21.0095
DIGI 인증
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