2SC2812-6-TB-E
제조업체 제품 번호:

2SC2812-6-TB-E

Product Overview

제조사:

Sanyo

부품 번호:

2SC2812-6-TB-E-DG

설명:

NPN SILICON TRANSISTOR
상세 설명:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 50 V 150 mA 100MHz 200 mW Surface Mount 3-CP

재고:

291000 새로운 원본 재고 있음
12930778
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제출

2SC2812-6-TB-E 기술 사양

카테고리
바이폴라 (BJT), 단일 양극 트랜지스터
제조사
포장
Bulk
시리즈
-
제품 상태
Active
트랜지스터 유형
NPN
전류 - 컬렉터(Ic)(최대)
150 mA
전압 - 컬렉터 이미터 고장(최대)
50 V
Vce 포화도(최대) @ Ib, Ic
500mV @ 5mA, 50mA
전류 - 컬렉터 컷오프(최대)
100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce
200 @ 1mA, 6V
전력 - 최대
200 mW
빈도 - 전환
100MHz
작동 온도
150°C (TJ)
실장 형
Surface Mount
패키지 / 케이스
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급업체 장치 패키지
3-CP

데이터 시트 및 문서

데이터시트

추가 정보

다른 이름들
2156-2SC2812-6-TB-E
ONSONS2SC2812-6-TB-E
표준 패키지
11,539

환경 및 수출 분류

RoHS 준수 여부
ROHS3 Compliant
수분 민감도 수준(MSL)
1 (Unlimited)
REACH 상태
REACH Unaffected
증권 시세 표시기
EAR99
(주)헤수스
8541.21.0075
DIGI 인증
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