제조업체 제품 번호:
2SC3786
Product Overview
제조사:
Sanyo
부품 번호:
2SC3786-DG
설명:
2SC3786 - NPN EPITAXIAL PLANAR T
상세 설명:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 50 V 3 A 180MHz 1.2 W Through Hole TO-126LP
재고:
10042 새로운 원본 재고 있음
12967871
견적 요청
수량
최소 1
최소 1
(*) 필수
24시간 이내에 답변드리겠습니다.
24시간 이내에 답변드리겠습니다.
제출
2SC3786 기술 사양
카테고리
바이폴라 (BJT), 단일 양극 트랜지스터
제조사
포장
Bulk
시리즈
-
제품 상태
Active
트랜지스터 유형
NPN
전류 - 컬렉터(Ic)(최대)
3 A
전압 - 컬렉터 이미터 고장(최대)
50 V
Vce 포화도(최대) @ Ib, Ic
1.5V @ 6mA, 1.5A
전류 - 컬렉터 컷오프(최대)
10µA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce
1000 @ 1.5A, 5V
전력 - 최대
1.2 W
빈도 - 전환
180MHz
작동 온도
150°C (TJ)
급
-
자격
-
실장 형
Through Hole
패키지 / 케이스
TO-225AA, TO-126-3
공급업체 장치 패키지
TO-126LP
데이터 시트 및 문서
데이터시트
추가 정보
다른 이름들
2156-2SC3786-600057
표준 패키지
888
환경 및 수출 분류
수분 민감도 수준(MSL)
Vendor Undefined
REACH 상태
REACH Unaffected
DIGI 인증
관련 상품
BC859B,215
NEXPERIA BC859B - SMALL SIGNAL B
2SC3070-AE
2SC3070 - NPN EPITAXIAL PLANAR S
2SB1215T-N-TL-E
2SB1215 - BIPOLAR PNP TRANSISTOR