제조업체 제품 번호:
2SD400E-MP-AE
Product Overview
제조사:
Sanyo
부품 번호:
2SD400E-MP-AE-DG
설명:
2SD400E - NPN EPITAXIAL PLANAR S
상세 설명:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 25 V 1 A 900 mW Through Hole TP
재고:
2630 새로운 원본 재고 있음
12967683
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제출
2SD400E-MP-AE 기술 사양
카테고리
바이폴라 (BJT), 단일 양극 트랜지스터
제조사
포장
Bulk
시리즈
-
제품 상태
Active
트랜지스터 유형
NPN
전류 - 컬렉터(Ic)(최대)
1 A
전압 - 컬렉터 이미터 고장(최대)
25 V
Vce 포화도(최대) @ Ib, Ic
700mV @ 50mA, 500mA
전류 - 컬렉터 컷오프(최대)
1µA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce
100 @ 50mA, 2V
전력 - 최대
900 mW
빈도 - 전환
-
작동 온도
150°C (TJ)
급
-
자격
-
실장 형
Through Hole
패키지 / 케이스
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
공급업체 장치 패키지
TP
데이터 시트 및 문서
데이터시트
HTML 데이터시트
추가 정보
다른 이름들
2156-2SD400E-MP-AE-600057
표준 패키지
1,902
환경 및 수출 분류
수분 민감도 수준(MSL)
Vendor Undefined
REACH 상태
Vendor Undefined
DIGI 인증
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