제조업체 제품 번호:
2SK536-TB-E
Product Overview
제조사:
Sanyo
부품 번호:
2SK536-TB-E-DG
설명:
N-CHANNEL ENHANCEMENT MOS SILICO
상세 설명:
N-Channel 50 V 100mA (Ta) 200mW (Ta) Surface Mount 3-CP
재고:
3000 새로운 원본 재고 있음
12946019
견적 요청
수량
최소 1
최소 1
(*) 필수
24시간 이내에 답변드리겠습니다.
24시간 이내에 답변드리겠습니다.
제출
2SK536-TB-E 기술 사양
카테고리
FETs, MOSFETs, 단일 FET, MOSFET
제조사
포장
Bulk
시리즈
-
제품 상태
Active
FET 유형
N-Channel
기술
MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(Vdss)
50 V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
100mA (Ta)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐)
10V
Rds 켜기(최대) @ Id, Vgs
20Ohm @ 10mA, 10V
Vgs(일) (최대) @ Id
-
Vgs(최대)
±12V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
15 pF @ 10 V
FET 기능
-
전력 손실(최대)
200mW (Ta)
작동 온도
125°C (TJ)
실장 형
Surface Mount
공급업체 장치 패키지
3-CP
패키지 / 케이스
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
데이터 시트 및 문서
데이터시트
추가 정보
다른 이름들
2156-2SK536-TB-E
ONSSNY2SK536-TB-E
표준 패키지
1,411
환경 및 수출 분류
증권 시세 표시기
EAR99
(주)헤수스
8541.21.0095
DIGI 인증
관련 상품
FCP130N60
MOSFET N-CH 600V 28A TO220-3
BUK7628-100A,118
MOSFET N-CH 100V 47A D2PAK
FCP13N60N
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1