제조업체 제품 번호:
S2M0040120D
Product Overview
제조사:
SMC Diode Solutions
부품 번호:
S2M0040120D-DG
설명:
MOSFET SILICON CARBIDE SIC 1200V
상세 설명:
N-Channel 1200 V Through Hole TO-247-3
재고:
221 새로운 원본 재고 있음
13001582
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제출
S2M0040120D 기술 사양
카테고리
FETs, MOSFETs, 단일 FET, MOSFET
제조사
SMC Diode Solutions
포장
Tube
시리즈
-
제품 상태
Active
FET 유형
N-Channel
기술
SiCFET (Silicon Carbide)
드레인-소스 전압(Vdss)
1200 V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
-
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐)
-
Rds 켜기(최대) @ Id, Vgs
-
Vgs(일) (최대) @ Id
-
Vgs(최대)
-
FET 기능
-
전력 손실(최대)
-
작동 온도
-
실장 형
Through Hole
공급업체 장치 패키지
TO-247-3
패키지 / 케이스
TO-247-3
추가 정보
다른 이름들
1655-S2M0040120D
-1765-S2M0040120D
표준 패키지
25
환경 및 수출 분류
RoHS 준수 여부
ROHS3 Compliant
수분 민감도 수준(MSL)
1 (Unlimited)
REACH 상태
REACH Unaffected
증권 시세 표시기
EAR99
(주)헤수스
8541.10.0080
DIGI 인증
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