제조업체 제품 번호:
2N6660
Product Overview
제조사:
Solid State Inc.
부품 번호:
2N6660-DG
설명:
MOSFET N-CH 60V 1.1A TO39
상세 설명:
N-Channel 60 V 1.1A (Tc) 6.25W (Tc) Through Hole TO-39
재고:
3575 새로운 원본 재고 있음
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제출
2N6660 기술 사양
카테고리
FETs, MOSFETs, 단일 FET, MOSFET
제조사
Manufacturers
포장
Box
시리즈
-
제품 상태
Active
FET 유형
N-Channel
기술
MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(Vdss)
60 V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
1.1A (Tc)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐)
5V, 10V
Rds 켜기(최대) @ Id, Vgs
3Ohm @ 1A, 10V
Vgs(일) (최대) @ Id
2V @ 1mA
Vgs(최대)
±40V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
50 pF @ 25 V
FET 기능
-
전력 손실(최대)
6.25W (Tc)
작동 온도
-55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형
Through Hole
공급업체 장치 패키지
TO-39
패키지 / 케이스
TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
데이터 시트 및 문서
데이터시트
추가 정보
다른 이름들
2383-2N6660
표준 패키지
10
환경 및 수출 분류
RoHS 준수 여부
ROHS3 Compliant
수분 민감도 수준(MSL)
Not Applicable
증권 시세 표시기
EAR99
(주)헤수스
8541.10.0080
DIGI 인증
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