제조업체 제품 번호:
2ST501T
Product Overview
제조사:
STMicroelectronics
부품 번호:
2ST501T-DG
설명:
TRANS NPN DARL 350V 4A TO220
상세 설명:
Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 350 V 4 A 100 W Through Hole TO-220
재고:
1194 새로운 원본 재고 있음
12875577
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제출
2ST501T 기술 사양
카테고리
바이폴라 (BJT), 단일 양극 트랜지스터
제조사
STMicroelectronics
포장
Tube
시리즈
-
제품 상태
Active
트랜지스터 유형
NPN - Darlington
전류 - 컬렉터(Ic)(최대)
4 A
전압 - 컬렉터 이미터 고장(최대)
350 V
Vce 포화도(최대) @ Ib, Ic
1.5V @ 2mA, 2A
전류 - 컬렉터 컷오프(최대)
100µA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce
2000 @ 2A, 2V
전력 - 최대
100 W
빈도 - 전환
-
작동 온도
150°C (TJ)
실장 형
Through Hole
패키지 / 케이스
TO-220-3
공급업체 장치 패키지
TO-220
기본 제품 번호
2ST501
추가 정보
다른 이름들
2ST501T-DG
497-16232-5
표준 패키지
50
환경 및 수출 분류
RoHS 준수 여부
ROHS3 Compliant
수분 민감도 수준(MSL)
1 (Unlimited)
REACH 상태
REACH Unaffected
증권 시세 표시기
EAR99
(주)헤수스
8541.29.0095
DIGI 인증
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