제조업체 제품 번호:
SCT30N120D2
Product Overview
제조사:
STMicroelectronics
부품 번호:
SCT30N120D2-DG
설명:
SICFET N-CH 1200V 40A HIP247
상세 설명:
N-Channel 1200 V 40A (Tc) 270W (Tc) Through Hole HiP247™
재고:
12875915
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제출
SCT30N120D2 기술 사양
카테고리
FETs, MOSFETs, 단일 FET, MOSFET
제조사
STMicroelectronics
포장
-
시리즈
-
제품 상태
Active
FET 유형
N-Channel
기술
SiCFET (Silicon Carbide)
드레인-소스 전압(Vdss)
1200 V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
40A (Tc)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐)
20V
Rds 켜기(최대) @ Id, Vgs
100mOhm @ 20A, 20V
Vgs(일) (최대) @ Id
3.5V @ 1mA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
105 nC @ 20 V
Vgs(최대)
+25V, -10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
1700 pF @ 400 V
FET 기능
-
전력 손실(최대)
270W (Tc)
작동 온도
-55°C ~ 200°C (TJ)
실장 형
Through Hole
공급업체 장치 패키지
HiP247™
패키지 / 케이스
TO-247-3
기본 제품 번호
SCT30
추가 정보
표준 패키지
490
환경 및 수출 분류
REACH 상태
REACH Unaffected
증권 시세 표시기
EAR99
(주)헤수스
8541.29.0095
DIGI 인증
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