제조업체 제품 번호:
SCT50N120
Product Overview
제조사:
STMicroelectronics
부품 번호:
SCT50N120-DG
설명:
SICFET N-CH 1200V 65A HIP247
상세 설명:
N-Channel 1200 V 65A (Tc) 318W (Tc) Through Hole HiP247™
재고:
12874195
견적 요청
수량
최소 1
최소 1
(*) 필수
24시간 이내에 답변드리겠습니다.
24시간 이내에 답변드리겠습니다.
제출
SCT50N120 기술 사양
카테고리
FETs, MOSFETs, 단일 FET, MOSFET
제조사
STMicroelectronics
포장
Tube
시리즈
-
제품 상태
Active
FET 유형
N-Channel
기술
SiCFET (Silicon Carbide)
드레인-소스 전압(Vdss)
1200 V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
65A (Tc)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐)
20V
Rds 켜기(최대) @ Id, Vgs
69mOhm @ 40A, 20V
Vgs(일) (최대) @ Id
3V @ 1mA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
122 nC @ 20 V
Vgs(최대)
+25V, -10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
1900 pF @ 400 V
FET 기능
-
전력 손실(최대)
318W (Tc)
작동 온도
-55°C ~ 200°C (TJ)
실장 형
Through Hole
공급업체 장치 패키지
HiP247™
패키지 / 케이스
TO-247-3
기본 제품 번호
SCT50
데이터 시트 및 문서
추가 정보
다른 이름들
-1138-SCT50N120
497-16598-5
표준 패키지
30
환경 및 수출 분류
RoHS 준수 여부
ROHS3 Compliant
수분 민감도 수준(MSL)
1 (Unlimited)
REACH 상태
REACH Unaffected
증권 시세 표시기
EAR99
(주)헤수스
8541.29.0095
대체 모델
부품 번호
MSC040SMA120B
제조사
Microchip Technology
구매 가능 수량
61
부품 번호
MSC040SMA120B-DG
단가
16.98
대체 유형
Similar
DIGI 인증
관련 상품
STB45N50DM2AG
MOSFET N-CH 500V 35A D2PAK
STH400N4F6-2
MOSFET N-CH 40V 180A H2PAK-2
STB36NF06LT4
MOSFET N-CH 60V 30A D2PAK
