제조업체 제품 번호:
SCTH50N120-7
Product Overview
제조사:
STMicroelectronics
부품 번호:
SCTH50N120-7-DG
설명:
SICFET N-CH 1200V 65A H2PAK-7
상세 설명:
N-Channel 1200 V 65A 270W (Tc) Surface Mount H2PAK-7
재고:
12877144
견적 요청
수량
최소 1
최소 1
(*) 필수
24시간 이내에 답변드리겠습니다.
24시간 이내에 답변드리겠습니다.
제출
SCTH50N120-7 기술 사양
카테고리
FETs, MOSFETs, 단일 FET, MOSFET
제조사
STMicroelectronics
포장
-
시리즈
-
제품 상태
Obsolete
FET 유형
N-Channel
기술
SiCFET (Silicon Carbide)
드레인-소스 전압(Vdss)
1200 V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
65A
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐)
20V
Rds 켜기(최대) @ Id, Vgs
69mOhm @ 40A, 20V
Vgs(일) (최대) @ Id
5.1V @ 1mA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
122 nC @ 20 V
Vgs(최대)
+22V, -10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
1900 pF @ 400 V
FET 기능
-
전력 손실(최대)
270W (Tc)
작동 온도
-55°C ~ 175°C (TJ)
실장 형
Surface Mount
공급업체 장치 패키지
H2PAK-7
패키지 / 케이스
TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
기본 제품 번호
SCTH50
데이터 시트 및 문서
데이터시트
추가 정보
다른 이름들
SCTH50N120-7-DG
497-SCTH50N120-7DKR
497-SCTH50N120-7CT
497-SCTH50N120-7TR
표준 패키지
1,000
환경 및 수출 분류
REACH 상태
REACH Unaffected
증권 시세 표시기
EAR99
(주)헤수스
8541.29.0095
대체 모델
부품 번호
SCTH60N120G2-7
제조사
STMicroelectronics
구매 가능 수량
0
부품 번호
SCTH60N120G2-7-DG
단가
18.07
대체 유형
MFR Recommended
DIGI 인증
관련 상품
STF5N65M6
MOSFET N-CH 650V 4A TO-220FP
STD5N65M6
MOSFET N-CH 650V DPAK
STI360N4F6
MOSFET N-CH 40V 120A I2PAK
