제조업체 제품 번호:
SCTWA20N120
Product Overview
제조사:
STMicroelectronics
부품 번호:
SCTWA20N120-DG
설명:
IC POWER MOSFET 1200V HIP247
상세 설명:
N-Channel 1200 V 20A (Tc) 175W (Tc) Through Hole HiP247™ Long Leads
재고:
526 새로운 원본 재고 있음
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제출
SCTWA20N120 기술 사양
카테고리
FETs, MOSFETs, 단일 FET, MOSFET
제조사
STMicroelectronics
포장
Tube
시리즈
-
제품 상태
Active
FET 유형
N-Channel
기술
SiCFET (Silicon Carbide)
드레인-소스 전압(Vdss)
1200 V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
20A (Tc)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐)
20V
Rds 켜기(최대) @ Id, Vgs
239mOhm @ 10A, 20V
Vgs(일) (최대) @ Id
3.5V @ 1mA (Typ)
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
45 nC @ 20 V
Vgs(최대)
+25V, -10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
650 pF @ 400 V
FET 기능
-
전력 손실(최대)
175W (Tc)
작동 온도
-55°C ~ 200°C (TJ)
실장 형
Through Hole
공급업체 장치 패키지
HiP247™ Long Leads
패키지 / 케이스
TO-247-3
기본 제품 번호
SCTWA20
데이터 시트 및 문서
데이터시트
추가 정보
다른 이름들
-1138-SCTWA20N120
표준 패키지
30
환경 및 수출 분류
RoHS 준수 여부
ROHS3 Compliant
수분 민감도 수준(MSL)
1 (Unlimited)
REACH 상태
REACH Unaffected
증권 시세 표시기
EAR99
(주)헤수스
8541.29.0095
DIGI 인증
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