제조업체 제품 번호:
SCTWA35N65G2VAG
Product Overview
제조사:
STMicroelectronics
부품 번호:
SCTWA35N65G2VAG-DG
설명:
SICFET N-CH 650V 45A TO247
상세 설명:
N-Channel 650 V 45A (Tc) 208W (Tc) Through Hole TO-247 Long Leads
재고:
12939202
견적 요청
수량
최소 1
최소 1
(*) 필수
24시간 이내에 답변드리겠습니다.
24시간 이내에 답변드리겠습니다.
제출
SCTWA35N65G2VAG 기술 사양
카테고리
FETs, MOSFETs, 단일 FET, MOSFET
제조사
STMicroelectronics
포장
-
시리즈
-
제품 상태
Active
FET 유형
N-Channel
기술
SiCFET (Silicon Carbide)
드레인-소스 전압(Vdss)
650 V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
45A (Tc)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐)
18V, 20V
Rds 켜기(최대) @ Id, Vgs
72mOhm @ 20A, 20V
Vgs(일) (최대) @ Id
3.2V @ 1mA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
73 nC @ 20 V
Vgs(최대)
+20V, -5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
1370 pF @ 400 V
FET 기능
-
전력 손실(최대)
208W (Tc)
작동 온도
-55°C ~ 175°C (TJ)
실장 형
Through Hole
공급업체 장치 패키지
TO-247 Long Leads
패키지 / 케이스
TO-247-3
기본 제품 번호
SCTWA35
데이터 시트 및 문서
데이터시트
추가 정보
다른 이름들
497-SCTWA35N65G2VAG
표준 패키지
600
환경 및 수출 분류
REACH 상태
REACH Unaffected
증권 시세 표시기
EAR99
(주)헤수스
8541.29.0095
대체 모델
부품 번호
MSC060SMA070B
제조사
Microchip Technology
구매 가능 수량
26
부품 번호
MSC060SMA070B-DG
단가
6.90
대체 유형
Similar
DIGI 인증
관련 상품
STD10N60M6
MOSFET N-CH 600V 6.4A DPAK
STL26N30M8
MOSFET N-CH 300V 23A POWERFLAT
NTNS3A65PZT5G
MOSFET P-CH 20V 281MA SOT883
