제조업체 제품 번호:
SCTWA70N120G2V-4
Product Overview
제조사:
STMicroelectronics
부품 번호:
SCTWA70N120G2V-4-DG
설명:
DISCRETE
상세 설명:
N-Channel 1200 V 91A (Tc) 547W Through Hole TO-247-4
재고:
12996620
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제출
SCTWA70N120G2V-4 기술 사양
카테고리
FETs, MOSFETs, 단일 FET, MOSFET
제조사
STMicroelectronics
포장
Bulk
시리즈
-
제품 상태
Active
FET 유형
N-Channel
기술
MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(Vdss)
1200 V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
91A (Tc)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐)
18V
Rds 켜기(최대) @ Id, Vgs
30mOhm @ 50A, 18V
Vgs(일) (최대) @ Id
4.9V @ 1mA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
150 nC @ 18 V
Vgs(최대)
+22V, -10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
3540 pF @ 800 V
FET 기능
-
전력 손실(최대)
547W
작동 온도
-55°C ~ 200°C (TJ)
실장 형
Through Hole
공급업체 장치 패키지
TO-247-4
패키지 / 케이스
TO-247-4
기본 제품 번호
SCTWA70
추가 정보
다른 이름들
497-SCTWA70N120G2V-4
표준 패키지
600
환경 및 수출 분류
RoHS 준수 여부
ROHS3 Compliant
REACH 상태
REACH Unaffected
증권 시세 표시기
EAR99
(주)헤수스
8541.29.0095
DIGI 인증
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