제조업체 제품 번호:
STB100N10F7
Product Overview
제조사:
STMicroelectronics
부품 번호:
STB100N10F7-DG
설명:
MOSFET N-CH 100V 80A D2PAK
상세 설명:
N-Channel 100 V 80A (Tc) 150W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
재고:
12876011
견적 요청
수량
최소 1
최소 1
(*) 필수
24시간 이내에 답변드리겠습니다.
24시간 이내에 답변드리겠습니다.
제출
STB100N10F7 기술 사양
카테고리
FETs, MOSFETs, 단일 FET, MOSFET
제조사
STMicroelectronics
포장
Tape & Reel (TR)
시리즈
DeepGATE™, STripFET™ VII
제품 상태
Active
FET 유형
N-Channel
기술
MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(Vdss)
100 V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
80A (Tc)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐)
10V
Rds 켜기(최대) @ Id, Vgs
8mOhm @ 40A, 10V
Vgs(일) (최대) @ Id
4.5V @ 250µA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
61 nC @ 10 V
Vgs(최대)
±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
4369 pF @ 50 V
FET 기능
-
전력 손실(최대)
150W (Tc)
작동 온도
-55°C ~ 175°C (TJ)
실장 형
Surface Mount
공급업체 장치 패키지
TO-263 (D2PAK)
패키지 / 케이스
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
기본 제품 번호
STB100
데이터 시트 및 문서
데이터시트
추가 정보
다른 이름들
-497-14527-1
497-14527-6
-497-14527-2
497-14527-1
497-14527-2
STB100N10F7-DG
-497-14527-6
표준 패키지
1,000
환경 및 수출 분류
RoHS 준수 여부
ROHS3 Compliant
수분 민감도 수준(MSL)
1 (Unlimited)
REACH 상태
REACH Unaffected
증권 시세 표시기
EAR99
(주)헤수스
8541.29.0095
대체 모델
부품 번호
PSMN8R7-80BS,118
제조사
Nexperia USA Inc.
구매 가능 수량
5398
부품 번호
PSMN8R7-80BS,118-DG
단가
0.70
대체 유형
Similar
DIGI 인증
관련 상품
STB34NM60N
MOSFET N-CH 600V 29A D2PAK
STB120N4LF6
MOSFET N-CH 40V 80A D2PAK
STP6NC60
MOSFET N-CH 600V 6A TO220AB